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導航
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應用案例
SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS
半導體制造工序
鑄塊
A
晶圓制作
B
晶圓清洗
C
晶圓表面酸化
D
配線patterning
E
晶圓test
F
晶圓粘合
G
研磨
H
切片
I
包裝
J
組裝
K
A
鑄塊

第一個工藝是鑄塊。鑄塊是制作晶圓的基板。將結晶硅和硼酸(B),磷(P)一起放入石英坩堝中,高溫溶解。將結晶棒浸入溶解的硅液面,一邊旋轉,一邊慢慢的向上提起,單結晶鑄塊完成,并且其原子配列和結晶棒相同。

B
晶圓制作

這個是將鑄塊研磨薄之后加工晶圓的工藝

第一步制作的鑄塊被線鋸切薄后,成圓盤狀。這個叫晶圓。這個晶圓表面是凹凸不平的,通過rapping(粗研磨)?蝕刻(化學方式研磨)?拋光(鏡面研磨)這幾個研磨工藝打磨光滑。

研磨后的晶圓厚度根據SEMI規格等有一點基準,例如“12”晶圓,其厚度就在775μm±20μ

製品事例

C
晶圓清洗

這個過程叫做清洗。主要為了去除附著在表面的異物。如果晶圓上有異物,之后再結晶成長工藝和光刻工藝中會產生不良。通過過酸化氫和鹽酸、氫氟酸等清洗液去除晶圓上的粒子和金屬,有機物。之后用非常干凈的被稱作超純水的清洗用水流動清洗,旋轉干燥。潮濕的話,空氣中的粒子可能會污染剛洗凈的晶圓。

製品事例

D
晶圓表面酸化

在晶圓表面酸化過程中,形成通過熱處理產生的優質表面酸化膜。酸化設備主要有縱型爐,橫型爐和RTP設備。通過酸化爐加高溫度(約800℃以上),在流入混有氧的煤氣,形成酸化膜

E
配線patterning

熱酸化后,涂布光刻膠,然后經過曝光?顯影、蝕刻、清洗、CMP工程形成pattern。

製品事例

F
晶圓test

通過晶圓探針,測試晶圓上形成的所有芯片的電氣特性。通過這個測試,可以辨別芯片的不良品。

G
晶圓粘合

晶圓薄化工藝中,為了便于運送時抓取晶圓,會將晶圓貼合再硅和玻璃等的支持基板上。

夾著樹脂(接著層)貼合,最近也有提案,晶圓之間直接貼合。

製品事例

H
研磨

晶圓表面pattern完成后,研磨晶圓正反面,削薄厚度。研磨后晶圓全體厚度不勻,需要盡可能控制厚度不勻。

製品事例

I
切片

將前工藝中制作的晶圓在后工藝中一個一個切開分離IC芯片,封裝。把芯片切小這個工藝叫做切片。主要通過高速旋轉鉆石材質的圓形刀片,用純水一邊冷卻一邊沖洗切割中的碎渣完成切片的。

J
包裝

完成后的芯片通過線粘合和再配線層,配線于封裝基板和硅支持基板等中。之后,芯片用樹脂封裝完成。

K
組裝

完成半導體封裝后,可以組裝到汽車,智能手機,IoT驅動、云、AI關聯產品等各個領域中。

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